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Ein solcher Fehler liegt vor, wenn eine Speicherzelle während des normalen Betriebs unerwartet ausfällt und zu einer Beschädigung des Speichers führt. Bei der Anzahl möglicher erneuter Schreibvorgänge auf einer EEPROM-Speicherzelle gibt es Einschränkungen. ROHM gewährleistet die höchste Anzahl erneuter Schreibvorgänge: 1 Million Mal. Hersteller verbürgen sich in der Regel nicht dafür, dass nach einer bestimmten Anzahl erneuter Schreibvorgänge kein unerwarteter Ausfall der Speicherzelle auftritt – sie sagen lediglich zu, dass alle Bits zum Zeitpunkt des Versands ordnungsgemäß funktionieren. ROHM hat eine Doppelzellen-Konstruktion entwickelt, um die Häufigkeit unerwarteter Ausfälle zu verringern und für eine höhere Datenzuverlässigkeit zu sorgen.
In order to prevent erroneous writing during power ON, maintain the state of the input pin until VCC rises by pulling the microwire CS pin to ground, pulling up the SPI CSB pin to VCC, the I²C SDA pin to 'H', and SCL to 'H' or 'L', and adhere to the power supply rise time and voltage stipulated in the datasheet.
Die integrierte Niederspannungsschreibfehler-Schutzschaltung (LVCC-Schaltkreis) wird aktiviert, sodass der Schreibvorgang unterbunden wird. Einschaltvorsichtsmaßnahme: Betätigen Sie die Power-On-Reset-Schaltung (P.O.R.), um einen normalen Betrieb zu gewährleisten.
Das heißt, jedes Byte kann Daten für 1 Million erneuter Schreibvorgänge speichern. Der Wert steht nicht für die Anzahl erneuter Schreibvorgänge in den integrierten Schaltkreis. Hinweis 1: Die Anzahl möglicher, erneuter Schreibvorgänge hängt von den Betriebstemperaturbedingungen ab. Weitere Informationen zur Datenzuverlässigkeit erhalten Sie bei der Geschäftsabteilung. Hinweis 2: Zwischen dem Datenspeicherungszeitraum und der Anzahl erneuter Schreibvorgänge besteht kein Zusammenhang.