GaN HEMT Endstufen-ICs

Die GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICs von ROHM bieten eine optimale Lösung für alle elektronischen Systeme, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern.
Im Gehäuse sind sowohl der GaN-HEMT als auch ein Gate-Treiber, der zur Maximierung der Leistung des GaN-HEMTs optimiert ist, enthalten. Mit einem breiten Eingangsspannungsbereich von 2,5V bis 30V kann er mit jedem Controller-IC kombiniert werden.
Dieser IC ist so konzipiert, dass er sich an die wichtigsten vorhandenen Controller anpasst, so dass er auch als Ersatz für herkömmliche diskrete Leistungsschalter, wie z.B. Super Junction MOSFET, verwendet werden kann.

Auch bei der EcoGaN™-Produktreihe von GaN-Bauteilen, die zu größeren Energieeinsparungen und Miniaturisierung beitragen, arbeitet ROHM weiter an der Verbesserung der Geräteleistung. Bei der Entwicklung von ROHM-Produkten werden wir auch die gemeinsame Entwicklung durch strategische Partnerschaften fördern, um zur Lösung gesellschaftlicher Probleme beizutragen, indem wir helfen, Anwendungen effizienter und kompakter zu gestalten.
* EcoGaN™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.