RD3P100SN
Nch 100V 10A Leistungs-MOSFET
RD3P100SN
RD3P100SN
Nch 100V 10A Leistungs-MOSFET
Der RD3P100SN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Schaltanwendungen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.105
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.105
Total gate charge Qg[nC]
18
Power Dissipation (PD)[W]
20
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
6.6x10.0 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- 4V drive
- High power package
