SCT4013DW7
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET mit 750V, 98A, 7-Pin SMD und Trench-Struktur
SCT4013DW7
SCT4013DW7
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET mit 750V, 98A, 7-Pin SMD und Trench-Struktur
SCT4013DW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
13
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
98
Total Power Dissipation[W]
267
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.2x15.4 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
