R6011KNJ
Nch-Leistungs-MOSFET 600 V 11 A

R6011KNJ hat einen niedrigen Einschaltwiderstand und MOSFET mit hoher Umschaltgeschwindigkeit und Leistung.

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Produktdetails

 
Teilenummer | R6011KNJTL
Status | Aktiv
Gehäuse | LPTS (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-263 (D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

11

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.34

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.34

Total gate charge Qg[nC]

22

Power Dissipation (PD)[W]

124

Drive Voltage[V]

10

Trr (Typ.)[ns]

355

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K8003

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance.
  • Ultra fast switching speed.
  • Parallel use is easy.
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
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