RFN10NS8D
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit

RFN10NS8D ist die Diode mit kurzer Erholzeit, mit einem niedrigen VF und einem geringen Schaltverlust und ist für die allgemeine Gleichrichtung geeignet.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RFN10NS8DTL
Status | Aktiv
Gehäuse | TO-263S (D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Configuration

C-Common

Package Code

TO-263S (D2PAK)

Package(JEITA)

SC-83

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

3

VRM[V]

800

Reverse Voltage VR[V]

800

Average Rectified Forward Current IO[A]

10

IFSM[A]

60

Forward Voltage VF(Max.)[V]

2.1

IF @ Forward Voltage [A]

5

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current [V]

800

trr(Max.)[ns]

40

IF @ trr [mA]

500

IR @ trr [A]

1

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

10.1x9 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Gemeinsame Kathode Dual-Typ
  • Geringer Schaltverlust
  • Niedrige Durchlassspannung

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