RFV8TG6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFV8TG6S
RFV8TG6S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
RFV8TG6S ist die Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit für PFC.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Package Code
TO-220AC
Mounting Style
Leaded type
Number of terminal
2
VRM[V]
600
Reverse Voltage VR[V]
600
Average Rectified Forward Current IO[A]
8
IFSM[A]
100
Forward Voltage VF(Max.)[V]
2.8
IF @ Forward Voltage [A]
8
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current [V]
600
trr(Max.)[ns]
25
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
10.2x15.05 (t=4.6)
Eigenschaften:
- Hyper fast recorvery / Hard recovery type
- Ultra low switching loss
- High current overload capacity
