RQ3E075AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -18 A
RQ3E075AT
RQ3E075AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -18 A
RQ3E075AT ist ein kleines Hochleistungsgehäuse (HSMT8) MOSFET für die Schaltfunktion.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-18
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0174
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.026
Total gate charge Qg[nC]
10.4
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
Eigenschaften:
- Low on - resistance.
- High Power Small Mold Package (HSMT8).
- Pb-free lead plating; RoHS compliant.
- Halogen Free
