RQ3E100BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 10 A
RQ3E100BN
RQ3E100BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 10 A
RQ3E100BN ist ein Hochleistungsgehäuse (HSMT8) MOSFET für die Schaltung.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
21
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.011
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0077
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.011
Total gate charge Qg[nC]
10.5
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4015
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.75)
Eigenschaften:
- Low on - resistance.
- High Power Package (HSMT8).
- Pb-free lead plating; RoHS compliant.
- Halogen Free
