Für neue Designs nicht empfohlen
US5L12
NPN-Transistor niedriges VCE(sat) + Schottky-Diode
US5L12
Für neue Designs nicht empfohlen
US5L12
NPN-Transistor niedriges VCE(sat) + Schottky-Diode
Produkte, die nicht für neue Designs verwendet werden können (Nicht empfohlen für Designabweichungen).
Produktdetails
Teilenummer | US5L12TR
Status |
Für neue Designs nicht empfohlen
Gehäuse |
TUMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Package Code
SOT-353T
JEITA Package
SC-113CA
Number of terminal
5
Polarity
NPN+Di
Collector Power dissipation PC[W]
0.4
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
30
Collector current Io(Ic) [A]
1
hFE
270 to 680
hFE (Min.)
270
hFE (Max.)
680
hFE (Diode)
25
Reverse voltage VR (Diode) [V]
20
Forward Current IF (Diode) [A]
0.7
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
3
Mounting Style
Surface mount
Equivalent (Single Part)
2SB1689 / RB461F
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
2x2.1 (t=0.85)
Eigenschaften:
· Kompakter komplexer Leistungsbipolartransistor· Für DC/DC-Wandler
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
