IGBTBipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) von ROHM tragen zu einer höheren Effizienz und Energieeinsparung in einer breiten Palette von Hochspannungsanwendungen bei.
| ||
-
Feldstopp-Trench-IGBT (58)
Produkte von ROHM weisen dank der Trench-Gate- und Dünnwafer-Technologie aus Eigenentwicklung ein niedriges Vce(sat) und geringe Schaltverluste auf.
-
Zündungs-IGBT (5)
ROHMs Zündungs-IGBTs für Kraftfahrzeuge sind äußerst zuverlässige Produkte, die sowohl ein niedriges Vce(sat) als auch einen hohen Stoßentladungsstrom erreichen.
