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IGBT

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) von ROHM tragen zu einer höheren Effizienz und Energieeinsparung in einer breiten Palette von Hochspannungsanwendungen bei.

FAQ 
  • Feldstopp-Trench-IGBT (44)

    Produkte von ROHM weisen dank der Trench-Gate- und Dünnwafer-Technologie aus Eigenentwicklung ein niedriges Vce(sat) und geringe Schaltverluste auf.

     
    Productimage
     
  • Zündungs-IGBT (2)

    ROHMs Zündungs-IGBTs für Kraftfahrzeuge sind äußerst zuverlässige Produkte, die sowohl ein niedriges Vce(sat) als auch einen hohen Stoßentladungsstrom erreichen.