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SiC-Leistungshalbleiter

Sie eignen sich ideal als zentrale Halbleiter für zahlreiche Anwendungen, in Wechselrichtern und Ladegeräten für Elektrofahrzeuge und Leistungskonditionierern in der Solarenergiebranche.

FAQ 
  • SiC-Schottky-Dioden (57)

    Die gesamte kapazitive Last (Qc) ist gering, wodurch Schaltverluste reduziert werden und eine hohe Schaltgeschwindigkeit ermöglicht wird. Im Gegensatz zu Si-basierten Dioden mit schneller Erholzeit, bei denen sich die Sperrerholzeit mit steigender Temperatur verlängert, bleiben die Eigenschaften bei Halbleitern mit Siliziumkarbid (SiC) erhalten, wodurch eine bessere Leistung erzielt wird.

     
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  • SiC-MOSFET (21)

    Prinzipiell entsteht beim Schalten kein Tailstrom, wodurch ein schnellerer Betrieb ermöglicht wird und Schaltverluste reduziert werden. Zudem werden dank des niedrigen Einschaltwiderstands und der kompakten Chipgröße eine niedrige elektrische Kapazität sowie eine niedrige Gate-Ladung erzielt. SiC weist einen nur geringen Einschaltwiderstand auf und ermöglicht eine bessere Miniaturisierung sowie Energieeinsparungen durch die Si-Halbleiter, in denen sich der Einschaltwiderstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.

     
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  • SiC-Leistungsmodul (9)

    Bei Voll-SiC-Leistungsmodulen mit SiC-MOSFETs und -SBDs kommt es zu weitaus weniger Schaltverlusten als bei herkömmlichen IGBT-Modulen. Diese neuen Module ermöglichen einen Hochfrequenzbetrieb bei mehr als 100 kHz (im Gegensatz zu herkömmlichen Produkten).

     
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  • SiC-Schottky-Dioden, Nacktchip (10)

    Die gesamte kapazitive Last (Qc) ist gering, wodurch Schaltverluste reduziert werden und eine hohe Schaltgeschwindigkeit ermöglicht wird. Im Gegensatz zu Si-basierten Dioden mit schneller Erholzeit, bei denen sich die Sperrerholzeit mit steigender Temperatur verlängert, bleiben die Eigenschaften bei Halbleitern mit Siliziumkarbid (SiC) erhalten, wodurch eine bessere Leistung erzielt wird.
    Zum Kauf von Nacktchips wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsbüro. Im Internet bieten wir derzeit keine Nacktchips zum Kauf an.

  • SiC-MOSFET, Nacktchip (17)

    Prinzipiell entsteht beim Schalten kein Tailstrom, wodurch ein schnellerer Betrieb ermöglicht wird und Schaltverluste reduziert werden. Zudem werden dank des niedrigen Einschaltwiderstands und der kompakten Chipgröße eine niedrige elektrische Kapazität sowie eine niedrige Gate-Ladung erzielt. SiC weist einen nur geringen Einschaltwiderstand auf und ermöglicht eine bessere Miniaturisierung sowie Energieeinsparungen durch die Si-Halbleiter, in denen sich der Einschaltwiderstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.
    Zum Kauf von Nacktchips wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsbüro. Im Internet bieten wir derzeit keine Nacktchips zum Kauf an.