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Transistoren

Neben den 0,9-V-Antriebsspannungs-MOSFETs für tragbare Produkte und den branchenweit ersten Digitaltransistoren bietet ROHM eine breite Auswahl an diskreten Produkten, u. a. Standard-MOSFETs, Dioden, bipolaren Transistoren und komplexen Transistoren mit integrierter Diode.
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FAQ 
  • MOSFETs (614)

    Die MOSFETs von ROHM steuern einen breiten Spannungsbereich von 0,9 – 10 V und unterstützen kleine Signale bis hin zu einer hohen Stromstärke. Das Gehäuse ist in den unterschiedlichsten Größen erhältlich (bis hin zur Mikrominiaturgröße 0604), wodurch beim Einbau Platz gespart wird. Zudem sind die MOSFETs von ROHM besser als Hochgeschwindigkeitsschaltungen, haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und stehen für einen breiten Anwendungsbereich zur Verfügung. Wie bei Produkten für Kraftfahrzeuge basieren die MOSFETS auf dem Standard AEC-Q101 der US-amerikanischen Organisation Automotive Electronics Council (AEC), der für die einzelnen Halbleiter gilt.

  • Bipolartransistoren (358)

    Sie sind in zahlreichen Gehäusen mit Eigenschaften (u. a. in Kleinsignal-, dünner und Hochleistungsausführung), wodurch die Marktnachfrage weitgehend abgedeckt wird.

  • Digitaltransistoren (722)

    Digitaltransistoren wurden auf dem Markt erstmalig von ROHM entwickelt. Der Transistor verfügt dabei über eine Digitalschaltung mit integriertem/n Widerstand/-ständen. Dieses Produktsegment wird derzeit erweitert, z. B. durch extrem kleine, platzsparende Gehäuse sowie durch verschiedene Kombinationen von Widerstandsanordnungen/-werten.

  • Komplexe Transistoren (3)

    Bei dieser Transistorgruppe handelt es sich um Hybridtransistoren mit einer Kombination anderer Bauelemente (siehe unten) in extrem kleiner Gehäuseausführung, in Ausführungen zur Steuerung niedriger Ströme usw. Somit lässt sich Platz einsparen und es werden weniger Komponenten benötigt.

     
    Productimage
     
  • Transistorarrays (4)

    ROHM-Transistorarrays enthalten 7 NPN-Darlington-Transistoren auf einem einzigen Chip sowie einzelne Klemmdioden zur Absorption von Überspannung am Ausgang.