memory_what2
Merkmale von Halbleiterspeichern
DRAM
Speicherzellenstruktur
Besteht aus einem Transistor und einem Kondensator
Datenschreibmethode
[Bei „1"]
- Potenzial der Wortleitung ist hoch
- Potenzial der Bitleitung ist hoch
- Potenzial der Wortleitung ist niedrig
Der Zustand „1"
Der Zustand „0"
SRAM
Speicherzellenstruktur
- Konfiguration mit 6 Transistorzellen
- Konfiguration mit 4 Transistorzellen (Zellentyp mit hochohmiger Last)
Typ mit geringer Leistung
Typ mit hoher Dichte
Daten schreib methode
[Bei „1"]
- Potenzial der Wortleitung ist hoch
- Weisen Sie der Bitleitung ein Potenzial zu (D=Niedrig, D=Hoch)
→ Der Zustand des Flipflops - Potenzial der Wortleitung ist niedrig
- Word Line potential is Low
Datenlesemethode
[Bei „1"]
- Potenzial der Wortleitung ist AUS
- Vorladung der Bitleitung (dasselbe Potenzial wie D, D)
- Potenzial der Wortleitung ist hoch
- Ist die Bitleitung niedrig, sind die Bedingungen hoch
- Verstärkt durch Sensorverstärker
„0", „1" von Flipflop-Schaltung gespeichert
Mask ROM
Mask ROM – Speicherzellenkonfiguration
- Übernimmt eine NAND-Struktur für erhöhte Integration (1 Transistorzelle)
Datenschreibmethode
Schreiben der Informationen im Wafer-Prozess
- „1": Ionen in Transistor implantiert
- „0": Keine Ionenimplantation
Datenlesemethode
- Wortleitungspotenzial der Lesezelle ist 0V
- Wortleitungspotenzial der Nicht-Lese-Zelle ist VCC
- → Spannung wird an die Bitleitung gelegt
- „1" wird festgelegt, wenn Strom fließt
EEPROM
EEPROM-Speicherzellenkonfiguration
・Besteht aus zwei Transistorzellen
Datenschreibmethode
Datenlöschmethode
Flash-Speicher
Flash-Speicherzellenkonfiguration
NAND-Typ
4F2-Bereich pro Bit, wenn die Minimumregel F lautet
NOR-Typ
10F2-Bereich pro Bit, wenn die Minimumregel F lautet