Das kleinste* Transistorgehäuse der Branche
Das ultrakompakte VML0806-Gehäuse ermöglicht eine höhere Miniaturisierung und Verbesserung der Leistung von Smartphones

03.10.2012

*ROHM-Studie vom 6. September 2012
VML0806

ROHM hat kürzlich die Entwicklung des kleinsten Transistorgehäuses auf dem Markt bekannt gegeben, das für dünne, kompakte mobile Geräte optimiert wurde. Das VML0806-Gehäuse misst lediglich 0,8 mm×0,6 mm mit einer Höhe von nur 0,36 mm.

Da mobile Geräte wie Smartphones und Digitalkameras immer kleiner und komplexer werden, sind entsprechend dünnere und kompaktere Komponenten erforderlich. Bei den herkömmlichen Transistoren war bislang jedoch die Größe 1006 (1,0 mm×0,6 mm, t=0,37 mm) als kleinste Ausführung möglich. Diese Beschränkung ist auf Probleme bei der Miniaturisierung interner Elemente, Verbindungsstabilität, Prozessgenauigkeit bei der Gehäuseherstellung und Oberflächenmontagetechnologien zurückzuführen.

ROHM konnte diese Herausforderungen nun bewältigen. Dabei hat das Unternehmen kleinere Elemente sowie hochpräzise Prozesstechnologien für die Gehäuseherstellung angewendet. Daraus entstanden ist eine bisher ungekannte kompakte Gehäuseform. Zudem konnte durch Optimierung der Außen- und Klemmenmaße die Montierbarkeit verbessert und gleichzeitig die Massenproduktion erleichtert werden.

ROHM wird dieses neue Gehäuse zu Beginn für Kleinsignal-MOSFETs anbieten. Dabei wird die Montagefläche um 67 % und die Einbaudicke um 28 % reduziert – im Vergleich zu herkömmlichen Produkten der Größe 1212 (1,2x1,2, t=0,5 mm). Trotz dessen bleiben Eigenschaften und Leistung immer noch erhalten. Zukünftig werden sie noch in Bipolar- und Digitaltransistoren eingebaut, wodurch voraussichtlich eine Miniaturisierung der Endprodukte ermöglicht wird. Zudem wird bei allen Schaltanwendungstypen eine höhere Dichte in den Ausführungen erzielt.

Gehäusevergleich Außenabmessungen

Hauptmerkmale


  • Durch die branchenweit kleinste Größe wird die Montagefläche auf ein Minimum reduziert
    Im Vergleich zum herkömmlichen erhältlichen Kleinsignal-Transistor (Größe 1212: 1,2 mm × 1,2 mm, t=0,50 mm) wird die Montagefläche um 67 % und die Einbaudicke um 28 % reduziert.
  • Durch Ausführungen mit unterseitiger Anbringung der Klemmen wird die Montage bei Anwendungen mit hoher Dichte unterstützt
  • Geringerer Einschaltwiderstand bei MOSFETs
    Bei einer ultrakompakten Gehäuseform ist ein niedriger Einschaltwiderstand (2,6 Ω) möglich.

Technische Daten


    MOSFETs

Teilenr. Polarität Vdss(V) Id(mA) Pd(mW)
RV1C002UN Nch 20 150 100
RV1C001ZP Pch 20 100 100



    Bipolartransistoren

Teilenr. Polarität Vceo(V) Ic(mA) Pd(mW)
2SAR523V1 PNP 50 100 100
2SCR523V1 NPN 50 100 100

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