ROHM führt neue isolierte Gate-Treiber für High-Speed-Schalten

Geräte mit hoher Zuverlässigkeit und Effizienz in einem extrem kompakten Gehäuse für Wechselrichter- und Wandleranwendungen

ROHM Semiconductor führt neue Gate-Treiber ein – in einem extrem kompakten Gehäuse mit integrierter Isolierung durch Kombination der innovativen Bi-CDMOS- und On-Chip-Transformator-Technologien von ROHM. Die Geräte sind in zwei unterschiedlichen Produktreihen erhältlich: der BM6001x-Reihe für einfache Designs und die komplexere BM610xFV-Reihe mit umfassenden Schutzfunktionen. Jede Produktreihe bietet hohe Effizienz, Betrieb bei geringem Energiebedarf und High-Speed-Schalten.

Im Rahmen der Erschließung neuer Anwendungsbereiche und Märkte ist die weltweite Energienachfrage beständig angestiegen. Dieser Umstand macht die Energieeinsparung zu einem essenziellen Aspekt beim Design von Geräten. Aus diesem Grund ist die hohe Effizienz von Wechselrichter- und Wandlerstromkreisen unentbehrlich – insbesondere bei Energieversorgungen und Motorantrieben, die eine hohe Leistungswandlung erfordern. Darüber hinaus beinhalten neueste Entwicklungen Designerweiterungen zur Verbesserung der Effizienz. Hierzu werden Hochfrequenzstromkreise für Solarwechselrichter, Hochleistungs-USV-Systeme, Energieversorgungen von Mobilfunkbasisstationen sowie für Schienen-Leistungswandler genutzt, wodurch die Nachfrage nach Gate-Treibern mit Isolierung weiter steigt. Gate-Treiber-Stromkreise mit herkömmlichen Optokopplern für Energiegeräte, wie z. B. in Hochleistungsanwendungen eingesetzte SiC-Technologie und IGBTs, haben in der Vergangenheit mangelhafte Eigenschaften bei hohen Temperaturen und geringen Geschwindigkeiten gezeigt und so das Potenzial speziell dieser Geräte begrenzt.

Um dieses Problem anzugehen, hat ROHM Gate-Treiber entwickelt, die die Leistung von SiC, IGBTs und Leistungs-MOSFETs dank integrierten Isolatoren optimieren können.

Basierend auf einem induktiven Kopplungsmechanismus bietet die Technologie hervorragende Flexibilität der Isolierungsstruktur, eine hohe Störfestigkeit und eine geringe differentielle Impedanz des Signals. Das optimierte Isolatordesign verhindert die Anfälligkeit gegenüber externen Magnetfeldern.

Seit ROHM diese Isolierungstechnologie gemeinsam mit einem Schnittstellenchip mit geringer und einem Gate-Treiber mit hoher Spannung in einem kompakten Mehr-Chip-IC-Gehäuse kombiniert hat, wurde die Montagefläche gegenüber herkömmlichen Optokopplerstromkreisen um 50 % reduziert. So kann die Größe von Wechselrichtern und Wandlern reduziert werden, ohne hierbei Zuverlässigkeit zu opfern.

 

Hauptmerkmale BM6104FV

  • Komplexer Typ
  • Integrierte Isolierungsfunktion dank eigener kernloser Transformatortechnologie
  • Innovatives Stromkreisdesign, genutzt für hohe CMR-Leistung (dV/dt > 100 kV/μs)
  • 2,5-kVeff-Isolationsspannung
  • <150-ns-E/A-Verzögerungszeit
  • Mindestimpulslänge von 90 ns
  • Gate-Ausgangsstrom von 3 A (min.)
  • INA-/INB-Eingänge zur Vermeidung falscher Schaltungen
  • Aktiver Miller-Clamp
  • Unterspannungssperre
  • DESAT-Funktion
  • Kurzschluss- & Temperaturschutz
  • Soft-Abschaltung (einstellbar)
  • Fehlersignalausgabe
  • Unterstützt negative Spannungsversorgung

 

Hauptmerkmale BM60014FV

  • Einfacher Typ für einfaches Design und schnelle Produktentwicklung
  • Integrierte Isolierungsfunktion dank eigener kernloser Transformatortechnologie
  • Innovatives Stromkreisdesign, genutzt für hohe CMR-Leistung (dV/dt > 100 kV/μs)
  • 2,5-kVeff-Isolationsspannung (3,75 kVeff beim BM60015FV)
  • 95 bis 120 ns Verzögerung
  • Mindesteingangsimpuls von 70 ns
  • Gate-Ausgangsstrom von 3 A (min.)
  • INA-/INB-Eingänge zur Vermeidung falscher Schaltungen
  • Unterspannungssperre
  • DESAT-Funktionen
  • Aktiver Miller-Clamp

 

Verfügbarkeit

Beide Produktreihen sind verfügbar.