PCIM-Bericht: ROHM auf der PCIM 2015

 

Vielen Dank für Ihren Besuch bei unserem Stand.

Hunderte Interessierte besuchten den ROHM-Stand während der PCIM und erlebten dort die ROHM-Energietechnologien.

Das Wichtigste zuerst: Innovative, hocheffiziente Produkte für erweiterte Energiemanagement-Anwendungsbereiche
Der Nachfrage nach hoher Leistung, Energie und Zuverlässigkeit sowie der nach immer weniger Raumbedarf gerecht zu werden, stellt Energiegeräte heutzutage vor echte Herausforderungen. Um all diese Anforderungen zu erfüllen, bieten die Innovationen von ROHM viele Vorteile in kompakten Gehäuselösungen – basierend auf unseren aufwendigen Forschungs- und Designaktivitäten sowie auf eigenen Mikrofertigungstechnologien.

 

Bericht zur PCIM Europe 2015

 

Siliziumkarbid-Technologie

ROHM verfügt über ein umfassendes Produktionssystem zur Durchführung des gesamten SiC-Fertigungsprozesses: von der Wafer-Bearbeitung bis zur internen Fertigung von Gehäusen und Modulen. 4-Zoll-MOSFET- und 6-Zoll-SBD-Wafer-Muster wurden an der Wand gezeigt.

 

 

USV-Anwendung von SiC-Anwendungen

Als Beispiel unserer SiC-Lösungen haben wir einen 10-kW-USV-Wechselrichter mit drei Stufen (4,5 kg, 21 x 23 x 10 cm) vorgeführt, der ein reines SiC-Modul nutzte.


 

 

Isolierte Gate-Treiber

Vorführung des 10-kW-Motorsteuerungs-MOSFET mit 3 Stufen

 

In Zusammenarbeit mit Xilinx und QdeSys zeigte ROHM 1200-V-SiC-MOSFETs und das FPGA-Referenzdesign für Motorantriebe.

 

 

 

 

Isolierte Gate-Treiber

Energie und Antrieb

ROHM bietet nicht nur SiC-Geräte, sondern auch Treiber-ICs und Leistungswiderstände an. An dieser Wand haben wir umfassende Antriebslösungen gezeigt, die für isolierte Gate-Treiber, isolierte DC/DC-Regler, AC/DC-Regler, SiC-MOSFETs und Leistungswiderstände angewendet werden.

                                          

                           
 
      
Isolierte Gate-Treiber

Leistungsmodule

Die SiC-Geräte von ROHM sind mit den Modulen unserer Kunden sowie mit reinen SiC-Modulen von ROHM ausgestattet. Darüber hinaus verfügen wir über IGBT IPM- und MOS IPM-Gehäuse, in denen einige Siliziumgeräte enthalten sind. IPMs ermöglichen es, 100-bis-240-Veff-AC-Motoren mit Technologien aus nur einem Gehäuse zu steuern.

                                          

 

 
Isolierte Gate-Treiber

EDLC-Zellausgleichs-IC

 

Diese IC-Vorführung hat gezeigt, dass alle Funktionen, die für den EDLC-Zellausgleich mit vier bis sechs Zellen erforderlich sind, in einen Chip integriert werden können.