ROHM Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

Photo - 1

SiC – bahnbrechende Halbleiter für optimiertes Energiemanagement / Effizienzsteigerung der Leistungselektronik / ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams

Hongkong, Kyoto und Willich – 11. Oktober 2016 – ROHM Semiconductor präsentierte seine bahnbrechende, innovative Siliziumkarbid-Technologie – kurz SiC – beim ersten Rennen der neuen Formel-E-Saison 2016/2017 in Hongkong. Pünktlich zum Serienstart feierte der führende japanische Halbleiterhersteller sein Debüt als Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams. Das Besondere dieser Partnerschaft verbirgt sich hinter dem entscheidenden Erfolgsfaktor der vollelektrischen Rennserie – dem Energiemanagement. Die Herausforderung für Teams und Fahrer liegt zum einen im effizienten Einsatz der zur Verfügung stehenden Energie und zum anderen darin, die Batterieleistung bestmöglich auf die Rennstrecke zu bringen. Hier kommt die von ROHM neu entwickelte Halbleitertechnologie mit Siliziumkarbid zum Einsatz. Im Vergleich zum herkömmlichen Silizium kann das neue Material höhere Lasten und Spannungen verarbeiten und verbraucht dabei deutlich weniger Energie – selbst unter sehr hohen Temperaturen. Durch den Einsatz von SiC als Kernelement der Partnerschaft erhoffen sich Venturi und ROHM deutliche Wettbewerbsvorteile. Gemeinsames Ziel ist es, die technologische Weiterentwicklung anzuführen und die Energieeffizienz der elektronischen Systeme weiter zu steigern.

wafer

SiC-Technologie auf einen Blick – Leistungselektronik wird „smaller, stronger and faster"

Siliziumkarbid ist die chemische Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff – gefertigt in einem aufwendigen Prozess der Kristallzüchtung bei über 2000 °C. Als Bauteil der Hochleistungselektronik erreicht der führende Halbleiterhersteller ROHM mit SiC-Anwendungen beeindruckende Energieeinsparungen und hocheffiziente Schaltvorgänge. Die Vorteile im Vergleich zu heute gängigen Materialien wie Silizium sind vielfach:

SMALLER – Systeme werden verkleinert und verbrauchen weniger Energie. Die geringere Größe und das eingesparte Gewicht ermöglichen im Motorsport zusätzlich eine bessere Gewichtsverteilung.

STRONGER – Bauteile mit SiC können mit höheren Voltlasten und Spannungen arbeiten, haben eine höhere Leistungsdichte und zeichnen sich auch unter hohen Temperaturen durch deutlich reduzierte Schaltverluste aus.

FASTER – Dies ist das Ergebnis der SiC-Technologie von ROHM für Venturi. Bessere Performance und maximierte Wahrscheinlichkeit auf mehr Speed.

Der Inverter im Venturi-Boliden für die 3. Saison enthält SiC-Schottoky-Dioden und ist somit 2 Kilogramm leichter als das Einheitsmodell der Vorsaison. Die elektrische Effizienz konnte um 1,7% gesteigert werden. Zugleich konnte das Volumen des Kühlsystems um 30 % reduziert werden. Doch das ist erst der Anfang. Für die 4. Saison werden durch den Einbau von SiC-MOSFETs weitere große Entwicklungsschritte und entsprechend deutliche Verbesserungen erwartet.

Sponsoring und Technologiepartnerschaft als Zeichen für Verpflichtung zu Entwicklungen im Energie-Bereich

Für die Automobilindustrie und die Elektromobilität werden SiC-Anwendungen und leistungsfähige Inverter immer wichtiger. Als führendes Unternehmen im Bereich der Leistungselektronik, das 2010 als erstes Unternehmen weltweit mit der Produktion von SiC-MOSFETs startete, hat ROHM die fortschrittlichsten SiC-Produkte entwickelt. Zudem hält ROHM einen großen Marktanteil bei „On-Board"-Ladeeinheiten von Elektrofahrzeugen. ROHM ist nicht nur führender Anbieter von SiC, sondern auch von LSI-Systemen mit einer großen Bandbreite von AEC-Q-zertifizierten Automotive-Produkten sowie von ASIC- und ASSP-Produkten. Hierzu zählen LED-Treiber, Motor-Treiber und optimierte Gate-Treiber für Motorsteuergeräte (ECUs). Hinzu kommen einzelne, standardisierte Bauteile wie Transistoren, Dioden und General ICs.

Durch das Sponsoring tritt die Marke ROHM erstmals global in Erscheinung. Das Engagement ist ein großer Schritt für den führenden Halbleiterhersteller aus Kyoto und symbolisiert seine Verantwortung und Verpflichtung für gesellschaftliche Entwicklungen im Bereich Energie. Der wichtigste Beitrag besteht aktuell in der Einführung der SiC-Technologie in die Formel E sowie in die E-Mobilität im Allgemeinen. Darüber hinaus ist das Engagement ein aktiver Beitrag zur Energiewende. Die Vorteile von Siliziumkarbid, die auch für verschiedene Industrien und gesellschaftlich relevant sind, werden durch das Vorzeigeprojekt mit Venturi in der Formel E klar herausgestellt. Die Formel E demonstriert nicht nur, wie effizient die neue Technologie funktioniert, sondern auch, dass SiC seinen Weg in die Serienproduktion und Alltagsanwendungen finden wird.

Um die Idee und den nachhaltigen Ansatz der Formel E zu unterstützen, präsentiert ROHM einen eigenen, speziell für die Formel E entwickelten Internetauftritt. Die Webseite soll Kunden, Mitarbeitern und Fans, aber auch Entscheidungsträgern aus Wirtschaft und Politik einen einfachen Zugang zu neuesten Informationen und technischen Hintergründen liefern. Denn für eine erfolgreiche Energiewende braucht es vor allem Wissen, Kenntnis und ein Verständnis der technischen Möglichkeiten.

Die neue, speziell zur Formel E veröffentlichte Webseite ist abrufbar unter: http://micro.rohm.com/de/formulae/

Kommentare von Fahrern und Managern

„Für uns bei Venturi und speziell für mich im Auto ist die technische Zusammenarbeit mit ROHM wichtig. Die Siliziumkarbid-Technologie als neuen Baustein in unserem Auto zu haben, ermöglicht uns, die vom Inverter produzierte Hitze zu verringern und die Energie besser zu managen. So können wir Motorleistung generieren, um dadurch schließlich auch schnellere Rundenzeiten zu produzieren."

Maro Engel, Fahrer im Venturi Formel-E-Team

„Die Zusammenarbeit mit ROHM im Bereich des Antriebsstrangs macht uns sehr stolz und ist hochspannend. Die Siliziumkarbid-Technologie ermöglicht uns herausragende neue Lösungen für den Inverter zu finden. In der Formel E dreht sich alles um Energiemanagement, und die Partnerschaft mit ROHM, dem führenden Halbleiterhersteller, verbessert unser gesamtes elektronisches System. So erreichen wir eine deutlich stärkere Leistung unseres Elektromotors und des gesamten Autos."

Franck Baldet, Chief Technology Officer beim Venturi Formel-E-Team

„Wir sind sehr glücklich über unseren technologischen Beitrag in der Formel E. Wir freuen uns sehr darauf, die Qualität und Effizienz unserer Produkte auf der Rennstrecke zu sehen. In den nächsten Jahren werden SiC-Anwendungen verstärkt ihren Weg in die Leistungselektronik für Hybrid- und vollelektrische Fahrzeuge finden und so einfachere, effizientere Energiesysteme ermöglichen. Durch unsere ökonomischeren Technologien für unterschiedliche Industrien und große Teile der Gesellschaft wollen wir einen Beitrag für die Wende in der Energiepolitik leisten."

Dr. Kazuhide Ino, General Manager Power Device Division ROHM

Fotos:

1) Inverter der 3. Saison im Auto

Inverter for season three in Formula E car

2) Venturi-Ingenieur in der Boxengasse

Venturi engineer in pit lane

Über ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2016 einen Umsatz von rund 3,30 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 21.171 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, zu der integrierte Schaltungen, SiC-Dioden, SiC-MOSFETs, SiC-Module, Transistoren, LEDs und weitere elektronische Bauelemente, aber auch Widerstände, Tantal-Kondensatoren und Druckköpfe gehören. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. Lapis Semiconductor, SiCrystal AG, Kionix und Powervation Ltd. gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an.

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.com

Über Venturi

Der monegassische Hersteller von Luxussportwagen hat sich voll und ganz der Aufgabe verschrieben, Elektroautos zu bauen, die sich von der Masse abheben und in jeglicher Hinsicht für Aufsehen sorgen. Der Venturi Buckeye Bullet stellte bereits mehrere Geschwindigkeitsrekorde für Elektrofahrzeuge auf. Seit 2016 steht der offizielle Bestwert, der jemals mit einem elektrobetriebenen Auto erreicht wurde, bei 567 km/h – gefahren mit dem Venturi Buckeye Bullet 3 auf dem Bonneville-Salzsee in Utah. Darüber hinaus zählt Venturi zu den Gründungsmitgliedern der 2014 ins Leben gerufenen Elektro-Rennserie Formel E. Gemeinsam mit dem Hollywood-Schauspieler Leonardo DiCaprio wurde ein Team gegründet, das in Metropolen wie Los Angeles, Paris und Buenos Aires dazu beiträgt, die Botschaft der Elektromobilität zu verbreiten.

Photo - 3 Photo - 4