ROHM Semiconductor erschließt mit seiner dritten SiC-Technologiegeneration neue Effizienz-Dimensionen

Bei SiC-MOSFETs, SiC-Schottkydioden und SiC-Modulen sorgen fortschrittliche Strukturen für mehr Leistungsdichte, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz

Willich-Münchheide/München, 8. November 2016 - ROHM Semiconductor stellt auf der weltweit führenden Elektronikmesse, der electronica in München (8. - 11. November 2016, Halle A5, Stand 542) die dritte Generation seiner SiC-MOSFETs, SiC-Schottkydioden und SiC-Module vor. Die neuen Bausteine tragen erfolgreich den Anforderungen an eine effiziente Energieversorgung Rechnung und stellen entscheidende Lösungen zur Verringerung der Verlustprobleme bei der Leistungswandlung dar. ROHM, ein Pionier in der SiC-Entwicklung, war 2010 das erste Unternehmen, dem die Massenproduktion von SiC-MOSFETs gelang, und ist in der Industrie weiterhin führend in der Entwicklung von Produkten für eine weitere Reduzierung der Verluste.

Die SiC-MOSFETs der dritten Generation

ROHM hat inzwischen die Massenproduktion der industrieweit ersten SiC-MOSFETs in Trench-Bauweise aufgenommen. Die neueste SiC-MOSFET-Generation von ROHM erreicht eine 50-prozentige Senkung des Einschaltwiderstands über den gesamten Temperaturbereich und eine Verringerung der Eingangskapazität um 35 %, während die Chipgröße auf dem Niveau von SiC-MOSFETs mit planarem Gate liegt. Optimale Performance wird mit einer Synthese aus herausragend geringen Verlusten und hoher Schaltgeschwindigkeit erreicht. Durch Anheben der Schaltfrequenz können außerdem kleinere externe Bauelemente (z. B. Spulen und Kondensatoren) verwendet werden. Das Resultat ist eine Steigerung des Umwandlungs-Wirkungsgrads, was zur Miniaturisierung und Gewichtsreduzierung sowie zur Verbesserung der Energieeffizienz beiträgt. Ein perfektes Beispiel für die neue Generation sind die 1.200 V SiC-MOSFETs der Serie SCT3080KL im TO-247-Gehäuse.

Produktübersicht SiC-MOSFETs der dritten Generation

650V Artikel Nr. 17mΩ 22mΩ 30mΩ 60mΩ 80mΩ 120mΩ
TO-247 SCT3xxxAL
1200V Artikel Nr. 22mΩ 30mΩ 40mΩ 80mΩ 160mΩ
TO-247 SCT3xxxAL

ROHM wird darüber hinaus AECQ-qualifizierte SiC-MOSFETs auf Basis der planaren Serie der zweiten Generation anbieten.

Die SiC-Schottkydioden der dritten Generation

Die SiC-SBDs (Schottky Barrier Diodes) der dritten Generation zeichnen sich unter allen SiC-Schottkydioden auf dem heutigen Markt durch die niedrigste Vorwärtsspannung (VF) und den kleinsten Rest-Sperrstrom (IR) über den gesamten Temperaturbereich aus. Abgesehen davon bieten sie eine hohe Stoßstromfestigkeit und eignen sich damit ideal für den Einsatz in Stromversorgungen. Als Ergänzung zu den kürzlich eingeführten TO220AC-Bausteinen für 650 V und 6, 8 und 10 A ergänzt ROHM die Familie durch D2PAK- und TO220FM-Versionen mit Optionen für niedrigere Ströme von 2 A und 4 A.

SiC-Dioden weisen im Vergleich zu Bausteinen auf Si-Basis extrem kurze Sperrverzögerungszeiten auf, was sie ideal für schnelle Schaltanwendungen macht.

Insgesamt unterstützen diese Eigenschaften den anhaltenden Trend zu hohen Wirkungsgraden, hoher Leistungsdichte und höchst robusten Designs.

Produktübersicht SiC-Schottkydioden der dritten Generation

650V Artikelnr. 2A 4A 6A 8A 10A
TO-220ACP SCS3xxAP
D2PAK
(LPTL)
SCS3xxAJ
TO-220FM SCS3xxAM

Reine SiC-Module in Chopper-Konfiguration

Die für Leistungswandler vorgesehenen, neuen Full-SiC-Module von ROHM in Chopper-Topologie enthalten sowohl massenproduzierte Trench-SiC-MOSFETs als auch SiC-Schottkydioden. Zusätzlich zu Modulen in 2-in-1-Bauweise sind die für 1.200 V sowie 120 A, 180 A und 300 A ausgelegten Chopper-Module gemäß den Anforderungen des Markts konzipiert. ROHM arbeitet außerdem an einem neuen Power-Modul mit reduzierter Streuinduktivität.

Portfolio of SiC Modules

Internal circuit BVDSS ID max Part No
2 in 1
(Half-Bridge)
1200V 80A BSM080D12P2C008
1200V 120A BSM120D12P2C005
1200V 180A BSM180D12P3C007
1200V 300A BSM300D12P2E001
Chopper 1200V 120A BSM120C12P2C201
1200V 180A BSM180C12P3C202
1200V 300A BSM300C12P3E201

Mehr über ROHM auf der electronica außerdem auf
http://www.rohm.de/web/de/electronica-2016

Bildunterschrift:

ROHM Semiconductor erschließt mit seiner dritten SiC-Technologiegeneration neue Effizienz-Dimensionen

3rdGen-SiC