30 V Leistungs-MOSFETs für DC/DC-Wandler
Die breite Produktpalette besitzt eine branchenführende Schaltleistung

04.07.2012

ROHM hat kürzlich die Entwicklung von Leistungs-MOSFETs für DC/DC-Niederspannungswandler bekannt gegeben, die in Servern, Notebook- und Tablet-PCs eingesetzt werden. Die neue Serie besitzt einen hohen Wirkungsgrad und ist in 16 verschiedenen Modellen und 3 platzsparenden Gehäusetypen erhältlich und somit mit zahlreichen Anwendungen kompatibel.

Die steigende Leistung von Servern und Notebook-PCs hat zu einem Anstieg des Stromverbrauchs und einer Verringerung der Betriebsspannung in der CPU und in anderen Schaltkreisen geführt. Dadurch wird mehr Wärme erzeugt und die Lebensdauer verringert. Zur Behebung dieses Problems werden Leistungs-MOSFETs in einer Vielzahl von Netzteilschaltungen eingebaut. So kommen sie beispielsweise in DC/DC-Synchrongleichrichtern zum Einsatz, die eine wichtige Rolle für eine effiziente Leistungsaufnahme spielt. Damit ein Leistungs-MOSFET jedoch eine niedrige Verlustleistung und einen hohen Wirkungsgrad aufweist, müssen sowohl Einschaltwiderstand als auch Gatekapazität reduziert werden, was bislang nicht möglich war.

Die letzten Leistungs-MOSFETs von ROHM besitzen eine niedrige Gatekapazität und zugleich einen niedrigen Einschaltwiderstand. Zu verdanken ist dies einer unternehmenseigenen Konstruktion mit niedriger Kapazität sowie einer neuen Feldplattenausführung mit Rillenstruktur und einer modernen Miniaturisierungstechnologie. Somit verringert sich die Figure of Merit (FOM, Gütezahl, ein Leistungsindikator für Leistungs-MOSFETs für DC/DC-Wandler) im Vergleich zu herkömmlichen Produkten um 50 %, wodurch eine branchenführende Schaltleistung erzielt wird. Dadurch werden sowohl Schaltverluste an der Plusseite der Netzteilschaltung eines DC/DC-Synchrongleichrichters und Leitungsverluste an der Minusseite reduziert, wodurch der Wirkungsgrad des gesamten Systems erhöht wird. Zudem können somit Synchrongleichrichter mit hoher Frequenz betrieben werden, wodurch kleinere Peripheriekomponenten eingesetzt werden können. Zudem prüft ROHM zu 100 % die Gate-Widerstände (Rg – Gate Resistance) und die Stoßentladungskapazität bei Schwachlast (UIS – Low-Load Avalance Capacity), damit in Synchrongleichrichterschaltungen optimale Leistung und Zuverlässigkeit gewährleistet sind.

Preise: 30-50 Yen/Stück (Muster)
Verfügbarkeit: Jetzt (OEM-Bestellmengen)

<Hauptmerkmale>

1) Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige elektrische Kapazität
Miniaturisierungstechnologien in Kombination mit einer unternehmenseigenen Konstruktion mit niedriger Kapazität sowie einer Feldplattenausführung mit Rillenstruktur – das Ergebnis ist ein Bauelement mit niedriger Kapazität, niedrigem Einschaltwiderstand und einem FOM (Gütezahl), der um 50 % niedriger als bei herkömmlichen ROHM-Produkten ist.

Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige elektrische Kapazität

2) Branchenführender Wirkungsgrad
Durch den Einbau dieser neuen Serie von Leistungs-MOSFETs in Netzteilschaltungen von DC/DC-Synchrongleichrichtern wird die Verlustleistung und somit der Stromverbrauch erheblich verringert. Dank erstklassiger Leistung bei hohen Betriebsfrequenzen lassen sich kleinere Peripheriekomponenten, wodurch eine Miniaturisierung des Endprodukts erzielt wird.

Branchenführender Wirkungsgrad

3) Kompaktes, platzsparendes Gehäuse; Kombinationen aus zwei Elementen sind ebenfalls erhältlich
Die breite Produktpalette umfasst drei kompakte Gehäusetypen, die somit mit zahlreichen Anwendungen kompatibel sind. Dazu gehört u. a. das HSMT8-Gehäuse, deren Montageflächen um 65 % geringer als die des HSOP8-Gehäuses, wodurch erhebliche Platzeinsparungen möglich sind. Zudem ist ein neues HSOP8-Gehäuse aus zwei Elementen erhältlich, das sowohl plus- als auch minusseitige MOSFETs für DC/DC-Netzteilschaltungen kombiniert. Bei diesem Gehäuse verringert sich nur die Montagefläche, sondern auch Montagezeit und Arbeitsaufwand.

Kompaktes, platzsparendes Gehäuse; Kombinationen aus zwei Elementen sind ebenfalls erhältlich Kompaktes, platzsparendes Gehäuse; Kombinationen aus zwei Elementen sind ebenfalls erhältlich

<Technische Daten>  

Technische Daten
 

<Terminologie>

  1. DC/DC-Wandler
    Eine Netzteilschaltung, die einen Gleichspannungswert in einen anderen umwandelt. Beispielsweise wird eine Sollspannung von 12 V in zahlreiche kleinere Spannungen (z. B. 0,9–5 V) umgewandelt, die für den Betrieb von Mikroprozessoren und Speichern in einem Gerät (z. B. Server oder PC) erforderlich sind.
  2. FOM (Figure of Merit, Gütezahl)
    Ein Indikator, der die Leistung eines Leistungs-MOSFET angibt. Die FOM ergibt sich aus dem Produkt von Ron×Qgd. In der Regel gilt: Je niedriger der Wert, umso besser.
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