Neuer 1.700 V SiC-MOSFET von ROHM

Ansteuer-IC und Evaluation Board von ROHM ermöglichen den schnellen Start von Entwicklung und Prototyping

ROHM's New 1700V SiC MOSFET

Willich-Münchheide, 7. Juli 2016 - ROHM hat jüngst die Verfügbarkeit eines neuen 1.700 V SiC-MOSFET bekanntgegeben, der für industrielle Anwendungen wie etwa Fertigungsanlagen und universelle Hochspannungs-Wechselrichter optimiert ist.

In den letzten Jahren hat der in allen Bereichen zu beobachtende Trend zum Energiesparen für eine wachsende Nachfrage nach energiesparenden Leistungshalbleitern gesorgt. Dies gilt speziell für Anwendungen im industriellen Bereich wie etwa Universal-Wechselrichter und Produktionsanlagen. In den Hilfsstromversorgungen, die Treiberspannungen für andere Stromversorgungen, Ansteuer-ICs und verschiedene unterstützende Systeme erzeugen, werden normalerweise Silizium-MOSFETs mit hohen Durchbruchspannungen von 1.000 V und mehr eingesetzt. Allerdings kommt es in diesen Hochspannungs-MOSFETs zu hohen Leitungsverlusten, die häufig zu einer übermäßigen Erwärmung führen. Zusätzlich gibt es Probleme wegen der benötigten Leiterplattenfläche und des Aufwands an externen Bauelementen, sodass es sich schwierig gestaltet, die Systemabmessungen zu reduzieren. Als Reaktion auf diese Situation entwickelte ROHM verlustarme SiC-MOSFETs und Ansteuer-ICs, die einerseits die Performance maximieren und andererseits zur Miniaturisierung der finalen Produkte beitragen.

Der SCT2H12NZ bringt die für Hilfsstromversorgungen in industriellen Anlagen benötigte hohe Durchbruchspannung mit. Der gegenüber konventionellen Silizium-MOSFETs um den Faktor 8 reduzierte Leitungsverlust kommt außerdem der Energieeffizienz zugute. In Kombination mit dem BD7682FJ-LB, einem speziell für das Ansteuern von SiC-MOSFETs ausgelegten AC/DC-Wandler-IC von ROHM lässt sich die Performance maximieren und die Effizienz um bis zu 6 % verbessern. Dies wiederum erlaubt die Verwendung kleinerer externer Bauelemente und trägt damit zur vermehrten Miniaturisierung bei.

SCT2H12NZ's Application Example Evaluation Board Image combining with ROHM's AC/DC converter control IC

SCT2H12NZ
Verfügbarkeit: sofort

Evaluation Board (BD7682FJ-LB-EVK-402)
Verfügbarkeit: sofort

Wichtige Eigenschaften

1. Optimiert für Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen

Verglichen mit 1.500 V Silizium-MOSFETs in Hilfsstromversorgungen für Industrieanlagen bietet der SCT2H12NZ eine höhere Durchbruchspannung von 1.700 V sowie einen um den Faktor 8 reduzierten Einschaltwiderstand von 1,15 Ω. Das kompakte Gehäuse der Bauart TO-3PFM weist außerdem die gleiche für industrielle Anlagen geforderte Kriechstrecke auf (gemessen entlang der Oberfläche des Isoliermaterials). ROHM bringt zusätzlich eine oberflächenmontierbare Ausführung (TO268-2L), die ebenfalls eine hinreichend lange Kriechstrecke bietet.

2. Verbesserte Effizienz im Verbund mit dem speziellen IC von ROHM

Using this latest SiC MOSFET in combination with ROHM's AC/DC converter control IC (BD7682FJ-LB) designed specifically for SiC MOSFET drive will make it possible to maximize performance and increase efficiency by up to 6%. At the same time heat generation will be reduced, minimizing thermal countermeasures and enabling the use of smaller components.

External Dimensions

3. Einfache Evaluierung mit dem Evaluation Board von ROHM für SiC-Bauelemente

Als ein Halbleiterhersteller mit einem lückenlosen Produktangebot bietet ROHM eine breite Palette von ICs, die für den Einsatz mit einer Vielzahl von SiC-Bauelementen optimiert sind. Darüber hinaus bringt das Unternehmen Evaluation Boards und Kits auf den Markt, die einen umgehenden Beginn der Evaluierungs- und Entwicklungsarbeit ermöglichen. Neben dem BD7682FJ-LB-EVK-402 wird ein Gatetreiber-Board zum Evaluieren der Full-SiC-Module von ROHM in Verbindung mit einem Snubber-Modul angeboten. Weitere Informationen hierzu finden Sie auf der speziellen Support-Seite von ROHM.

Anwendungen

Hilfsstromversorgungen für mit hoher Spannung (z. B. 400 V AC) betriebene industrielle Anwendungen wie die Fabrikautomation (Roboter) sowie PV- und Industrie-Wechselrichter, Fertigungsanlagen und Prüfvorrichtungen.

Produktübersicht

  Typ Gehäuse Polarität VDSS ID PD
(Tc=25ºC)
RDS(on)
VGS=18V
QG
VGS=18V
Neu SCT2H12NZ TO-3PFM N-Kanal 1.700V 3,7A 35W 1,15Ω(typ,) 14nC (typ,)
In der Entwicklung SCT2H12NY TO-268-2L
(Surface Mount)
4A 44W
In der Entwicklung SCT2750NY 5,9A 57W 0,75Ω(typ,) 17nC (typ,)