Schottky-SiC-Dioden mit der niedrigsten Durchlassspannung der Branche
verringern die Verlustleistung in PV-Leistungskonditionierern, Industrieanlagen und Servern

27.06.2012

ROHM hat kürzlich die Entwicklung von Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden bekannt gegeben, die ideal für Netzteilschaltungen in Photovoltaik-(PV)-Leistungskonditionierern, Industrieanlagen, Servern, Klimaanlagen usw. geeignet sind. Diese neue Serie verfügt über die branchenweit niedrigste Durchlassspannung (VF=1,35 V) – 10 % geringer als bei herkömmlichen Produkten – dadurch wird der Stromverbrauch erheblich reduziert.

※ ROHM-Studie von Juni

In den letzten Jahren hat sich SiC zum Nachfolger von Silizium für den Einsatz als Halbleitermaterial in Halbleitern der nächsten Generation entwickelt, insbesondere in der Leistungselektronik (d. h. im Bereich Industrieanlagen, Solarzellen, Elektrofahrzeugen, Eisenbahnen). Zu verdanken ist dies der niedrigen Verluste bei der Leistungsaufnahme und der besseren Materialeigenschaften. 2010 hat ROHM erfolgreich die Massenproduktion von SiC-SBDs und MOSFETs eingeführt. Im März 2012 folgte dann die branchenweit erste Serienherstellung von „Voll-SiC"-Leistungsmodulen. Obwohl SiC-SBDs jedoch nun weltweit in Serie hergestellt werden, bleibt deren Durchlassspannung stets bei ca. 1,5 V, wodurch der Aufwand für Energieeinsparungen auf ein Minimum reduziert wird. Zur Minimierung der Verlustleistung sind weitere Verringerungen der Durchlassspannung VF  erforderlich.

Die Reduzierung der Durchlassspannung führt jedoch in der Regel zu einem Anstieg des rückfließenden Leckstroms. ROHM hat diese Herausforderung bewältigt, indem das Unternehmen die Halbleiter optimiert und die Herstellungsprozesse verbessert hat. Somit wurde die Durchlassspannung (VF ) erfolgreich reduziert und der Leckstrom wurde niedrig gehalten. Zudem kommt es bei der neue Serie im Vergleich zu Produkten anderer Hersteller zu einem besonders niedrigen Anstieg der Durchlassspannung. Somit wird der Wirkungsgrad bei Schwachlast verbessert, wo die Serie in der Regel eingesetzt wird.

Preise: 500 Yen/PC (Muster)
Verfügbarkeit: Juni 2012 (Muster)

<Hauptmerkmale>

Durch die schnelle Schaltfähigkeit und die niedrige Durchlassspannung wird die Verlustleistung im Vergleich zu herkömmlichen Si-Produkten erheblich reduziert.
Bei der neuen SCS210AG/AM-Serie von SiC-Schottky-Dioden reduziert sich die Durchlassspannung und die für SiC einzigartig schnelle Schaltfähigkeit bleibt erhalten. Dadurch wird die Verlustleistung im Vergleich zu herkömmlichen Dioden mit kurzer Erholungszeit deutlich verringert.

<Technische Daten>

Teilenr. Absolute Grenzdaten
(Ta=25 ºC)
Elektrische Kenndaten
(Ta=25 ºC)
Gehäuse
VRM(V) VR(V) IF(A) VF(V)
Typ.
VF(V)
Max.
IF(A) IR(µA)
Max.
VR(V)
☆  SCS206AG 600 600 6 1,35 1,55 6 120 600 TO-220AC 2L
☆  SCS208AG 600 600 8 1,35 1,55 8 160 600 TO-220AC 2L
NEU: SCS210AG 600 600 10 1,35 1,55 10 200 600 TO-220AC 2L
☆  SCS212AG 600 600 12 1,35 1,55 12 240 600 TO-220AC 2L
☆  SCS220AG 600 600 20 1,35 1,55 20 400 600 TO-220AC 2L
☆  SCS206AM 600 600 6 1,35 1,55 6 120 600 TO-220FM 2L
☆  SCS208AM 600 600 8 1,35 1,55 8 160 600 TO-220FM 2L
NEU: SCS210AM 600 600 10 1,35 1,55 10 200 600 TO-220FM 2L
☆  SCS212AM 600 600 12 1,35 1,55 12 240 600 TO-220FM 2L
☆  SCS220AE2 600 600 10/20 1,35 1,55 10 200 600 TO-247
☆  SCS240AE2 600 600 20/40 1,35 1,55 20 400 600 TO-247

☆ :In Entwicklung    ※ Pro Strecke  /  Halbleiter

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