Ultrakompaktes Leistungsgehäuse VML2

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Das kleinste 450-V-Gehäuse der Branche –ideal für Anwendungen mit hoher Dichte

Übersicht 

Durch Optimierungen des internen Designs konnten kleinere, dünnere Gehäuse mit größere Spannungsfestigkeit entwickelt werden. Somit eignet sich das VML2-Gehäuse ideal für Dioden mit kurzer Erholzeit (450 V bei einer Größe von 1006) und Schottky-Dioden (verbesserte Strombelastbarkeit). Außerdem können die Geräte verkleinert werden und die Leistung wird gesteigert.

Merkmal 1 : Reduzierung von Fläche und Volumen um mehr als 80 %

Dieses neue Gehäuse ist dünner und kompakter als herkömmliche TUMD2S-Gehäuse (Größe 2513) und bietet eine Festigkeit gegenüber einer Spannung von 450 V bei einer Größe von 1006.
Reduzierung von Fläche und Volumen um mehr als 80 %

Merkmal 2 : Ermöglicht dünnere, kleinere SBDs und FRDs

Das VML2-Gehäuse weist dieselbe Strombelastbarkeit wie das EMD2-Gehäuse (Größe: 1608) auf, jedoch in einer kleineren, dünneren Form (Größe: 1006), wodurch eine bessere Miniaturisierung ermöglicht wird.
Ermöglicht dünnere, kleinere SBDs und FRDs

Anwendungsbeispiel

Anwendungsbeispiel

Produktpalette

(Ta=25 ℃)
Typ Teilenr. Absolute Grenzdaten (Ta=25 °C) Elektrische Kenndaten (Ta=25 °C)
VRM
(V)
VR
(V)
IO
(A)
VF
(V)
IF
(A)
IR
(uA)
VR
(V)
trr
(ns)
Diode mit kurzer Erholungszeit (Fast Recovery Diode) NEU
RFU01AS4S
450 450 0,1 1,80 0,1 10 450 35
Schottky-Diode NEU
RBE05AS20A
30 20 0,5 0,53 0,5 150 20 -
NEU
RB520AS-30
30 30 0,2 0,60 0,2 1 10 -
NEU
RB521AS-30
30 30 0,2 0,50 0,2 30 10 -
NEU
RB550AS-30
30 30 0,5 0,57 0,5 8 30 -
NEU
RB551AS-30
30 20 0,5 0,49 0,5 100 20 -
NEU
RB520AS-40
40 40 0,2 0,55 0,1 10 40 -
NEU
RB521AS-40
40 40 0,2 0,45 0,1 90 40 -
※trr-Bedingungen:IF = IR = 0,1 A / Irr = 0,25 IR

Anwendungen

<FRD>
Stroboskopschaltungen

<SBD>
Netzteile für mobile Geräte, Batterieschaltungen, Smartphones, Audio-Player usw.

Anwendungen
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