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Mit Evaluation Boards ist es einfach, ROHMs breites Portfolio an SiC-Schottky-Dioden (SBDs), SiC-MOSFETs , sowie SiC-Leistungsmodulen (die SiC-SBDs und MOSFETs integrieren) zu evaluieren.

Diese kompakten und effizienten Halbleiterbauelemente reduzieren die Größe des Endprodukts erheblich. In Verbindung mit einem Evaluation Board können sie auch dazu verwendet werden, Prototyp-Anwendungen zu realisieren und die Entwicklung von Sets zu initiieren.

Evaluation Board Sortiment

Kategorie SiC Produkt Bild Artikelnummer. Hersteller Produkt-Details Benutzerhandbuch Board erwerben
SiC-MOS Evaluation Board SCT3XXX-Serie Trench(3G) TO-247 3L/4L NEU
P02SCT3040KR-EVK-001
ROHM Details Benutzerhandbuch Online-Distributoren
Produkt-Spezifikationen
SiC Module Treiber-Board BSM-Serie Planar (2G)(1200V, E / G type) BSMGD2G12D24-EVK001 - Benutzerhandbuch Anfragen
BSM-Serie Trench(3G/4G) (1200V,E/G type) BSMGD3G12D24-EVK001 - Benutzerhandbuch Anfragen
BSM-Series (1200V,C type) BSMGD3C12D24-EVK001 - Benutzerhandbuch Anfragen
BSM series (1700V,E type) BSMGD2G17D24-EVK001   Benutzerhandbuch Anfragen
BSM series (1200V,1700V E/G type) 2EG-B series TAMURA  Tamura Manufacturing’s Website
Snubber Modul BSM-Serie (1200V, C type) MGSM1D72J2-145MH26 ROHM - Anfragen
BSM-Serie (1200V, E / G type) MGSM1D72J2-145MH16 -
BSM250 (1700V, E type) MGSM1D72J3-934MH93 -
AC/DC Evaluation Board SCT2H12NZ BD7682FJ-LB-EVK-402 ROHM Details Applikationsschrift Online-Distributoren

Evaluation Board Übersicht

P02SCT3040KR-EVK-001

  • Zur Evaluierung von ROHMsSCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
    Ermöglicht die Evaluierung anderer ROHM SiC-MOSFETs durch Austauschen der Bauteile und Anpassung von Schaltungsparametern
  • Zusätzlich zum TO-247-4L-Gehäuse gibt es Durchgangslöcher für TO-247-3L, die es ermöglichen, vergleichende Evaluierungen auf derselben Platine durchzuführen.
  • Nur eine Stromversorgung (+12V Betrieb) erforderlich
  • Unterstützt Doppelpulstests bis zu 150A und Schaltfrequenzen bis zu 500kHz
  • Kompatibel mit einer Vielzahl von Stromversorgungs-Topologien (Buck/Boost/Half Bridge)
  • Integrierte isolierte Stromversorgung für den Gate-Treiber. Gate-Spannung einstellbar über einen variablen Widerstand (+12V bis +23V)
  • Jumper-Pins ermöglichen das Umschalten zwischen negativer Ausschaltspannung und Ausschalten mit 0V.
  • Enthält Überstromschutz (DESAT, OCP) zusammen mit einer Funktion zur Verhinderung des gleichzeitigen Einschaltens beider MOSFETs in der Halbbrücke

 

P02SCT3040KR-EVK-001

Evaluation Board für AC/DC-Wandler-Steuerungs-IC mit eingebautem 1700V-SiC-MOSFET

Optimiert für den Einsatz für Hilfssspanungsversorgungen in industriellen Anwendungen, integriert dieses Evaluierungsboard ROHMs AC/DC-Wandler-Steuer-IC und einen 1700V-SiC-MOSFET.

BD7682FJ-LB-EVK-402

  • AC/DC Evaluation Board mit SiC-MOSFET-Treiber (Sperrwandler)
  • Enthält den SCT2H12NZ 1700V-SiC-MOSFET von ROHM
  • Enthält ROHMs BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuerungs-IC
  • 3-phasiger 400 bis 690VAC Eingang, 24V/1A Ausgang

 

BD7682FJ-LB-EVK-402

Applikationsschriften

Basics and Design Guidelines for Gate Drive Circuits
Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
Two-Resistor Model for Thermal Simulation
Two-Resistor Model for Thermal Simulation
Method for Monitoring Switching Waveform
Method for Monitoring Switching Waveform
How to Use Thermal Models
How to Use Thermal Models
What is a Thermal Model?
What is a Thermal Model?
Precautions During Gate-Source Voltage Measurement
Precautions During Gate-Source Voltage Measurement
Improving Switching Loss by Driver Source
Improving Switching Loss by Driver Source
Snubber Circuit Design Methods for SiC MOSFETs
Snubber Circuit Design Methods for SiC MOSFETs
Gate-Source Voltage Surge Suppression Methods
Gate-Source Voltage Surge Suppression Methods
Gate-Source Voltage Behavior in a Bridge Configuration
Gate-Source Voltage Behavior in a Bridge Configuration

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