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Nch 40V 30A Power MOSFET - AG009DGQ3 (In Entwicklung)

Automotive Power MOSFET AG009DGQ3 realize the high mounting reliability by ROHM original terminal and plating treatment.

FAQ 
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Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
AG009DGQ3TB Under Development HSMT8AG 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Automotive
Common Standard AEC-Q101
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Applications Power Supply
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 40
Drain Current ID[A] 30.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.0073
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.0060
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0073
Total gate charge Qg[nC] 15.0
Power Dissipation (PD)[W] 75.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
Eigenschaften:
    • Small high-powered package reduces mounting area by 36% at a maximum
    • Realization of high mounting reliability by original terminal and plating treatment
    • Assuring Tj=175℃
    • AEC-Q101 Qualified
 
 
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ROHM Semiconductor behält sich das Recht vor, die Spezifikationen jederzeit zu ändern.
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors