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Endregler für DDR-SDRAMs - BD3533HFN

Der BD3533HFN ist ein Anschlussregler, der den JEDEC-Anforderungen für DDR-SDRAM entspricht. Die lineare Stromversorgung nutzt einen integrierten N-Kanal-MOSFET und Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker, die speziell für ein exzellentes Einschwingverhalten konzipiert sind. Weitere Eigenschaften sind die Unterstützung für Senkstrom/Quellstrom von bis zu 1 A und die Notwendigkeit einer Bias-Stromversorgung von 3,3 V bis 5,0 V zur Steuerung des N-Kanal-MOSFET. Dank eines unabhängigen Referenzspannungseingangs (VDDQ) und eines Feedback-Pins (VTTS) bietet dieser Anschlussregler eine exzellente Ausgangsspannungsgenauigkeit und Lastregelung, wie in den JEDEC-Standards gefordert. Zusätzlich bietet der BD3533 einen Referenz-Stromversorgungsausgang (VREF) für DDR-SDRAM oder Speicher-Controller. Anders als beim VTT-Ausgang, bei dem in den „Hi-Z“-Modus gewechselt wird, bleibt der VREF-Ausgang unverändert, wenn der EN-Eingang auf „niedrig“ gesetzt wird. Dadurch ist dieser IC für DDR-SDRAM mit Selbstauffrischungsmodus geeignet.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
BD3533HFN-TR Active HSON8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
ch 1
Vin(Min.)[V] 2.7
Vin(Max.)[V] 5.5
Vout (Typ.) [V] 0.75 to 1.25
Iout(Max.)[A] 1.0
Thermal Shut-down Yes
Under Voltage Lock Out Yes
Operating Temperature (Min.)[°C] -20
Operating Temperature (Max.)[°C] 100
Eigenschaften:
  • · Mit Gegentaktnetzteil als Terminierung (VTT)
    · Mit Referenzspannungsschaltung (VREF)
    · Mit Freigabeschaltung
    · Mit Unterspannungsabschaltung (UVLO)
    · Mit Schutzfunktion für thermische Abschaltung (TSD)
    · Dual-Channel-kompatibel (DDR2)
 
 
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