Downloading...

1200 V Hochspannung High- & Low-Side, Gattertreiber - BM60210FV-C (New)

Das BM60210FV-C ist ein monolithischer High und Low-Side-Gate-Treiber-IC, der High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit Bootstrap-Betrieb betreiben kann. Der erdfreie Kanal kann genutzt werden, um einem N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der High-Seite-Konfiguration abzutreiben, die mit bis zu 1200V betrieben werden. Es enthält die Fehlersignalausgabefunktionen, Unterspannungsabschaltung (UVLO) Funktion und Miller Klemmfunktion.

FAQ 
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
BM60210FV-CE2 Active SSOP-B20W 2000 2000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Automotive
Channel 2
High-side floating supply voltage [V] 1200
Turn-on/off time (Typ.) [ns] 55
Vcc(Min.)[V] 10.0
Vcc(Max.)[V] 24.0
Operating Temperature (Min.)[°C] -40
Operating Temperature (Max.)[°C] 125
Eigenschaften:
    • Potenzialfreie Kanäle für Bootstrap-Betrieb bis +1200 V
    • Versorgungsbereich für Gate-Steuerung von 10 V bis 24 V
    • Integrierte Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
    • Mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik kompatibel
    • Aktiver Miller-Clamp
    • AEC-Q100-qualifiziert
 
 
Letzte Klicks:
Weitere neue/aktualisierte Produkte im Zusammenhang mit Energieverwaltung / Power Management
Neue Produkte:
 
ROHM Semiconductor behält sich das Recht vor, die Spezifikationen jederzeit zu ändern.
 
Technische Daten
Application Note

Thermal Resistance