I²C BUS 2 kbit (256x8 Bit), EEPROM - BR24A02F-WLB(H2)Für das Produkt wird ein Langzeit-Support im industriellen Markt garantiert. Ein serieller EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher) ist ein nichtflüchtiger Speicher, der byteweise elektrisch überschrieben werden kann. Er eignet sich am besten für die Datenspeicherung. Die höchst zuverlässigen seriellen EEPROMS von ROHM zählen zu den besten ihrer Klasse. Sie machen einen großen Marktanteil aus und sind mit verschiedenen Kapazitäten, Bus-Schnittstellen (Microwire, I²C, SPI), Betriebsspannungen (1,8 V bis 5,5 V, 2,5 V bis 5,5 V) und Gehäusetypen verfügbar und sind daher ideal für batteriebetriebene Geräte. Die gesamte Serie ist sowohl bleifrei als auch RoHS-konform.
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| Grade | Industrial |
| I/F | I2C BUS(2-Wire) |
| Density [bit] | 2K |
| Bit Format [Word x Bit] | 256 x 8 |
| Package | SOP8 |
| Operating Temperature (Min.)[°C] | -40 |
| Operating Temperature (Max.)[°C] | 105 |
| Vcc(Min.)[V] | 2.5 |
| Vcc(Max.)[V] | 5.5 |
| Circuit Current (Max.)[mA] | 2.0 |
| Standby Current (Max.)[μA] | 2.0 |
| Write Cycle (Max.)[ms] | 5.0 |
| Input Frequency (Max.)[Hz] | 400K |
| Endurance (Max.)[Cycle] | 106 |
| Data Retention (Max.)[Year] | 40 |
- · Produkt mit Langzeit-Support für industrielle Anwendungen
· Vollständig konform mit dem I²C-Bus
· Großer Betriebsspannungsbereich: 2,5 bis 5,5 V
· Datenneuschreibung bis zu 1.000.000-mal möglich
| TEILENUMMER | Produktname | Gehäuse | Datenblatt | Lieferbare Bestände |
|---|---|---|---|---|
| BR24A01AF-WLB(H2) | I²C BUS 1 kbit (128x8 Bit), EEPROM | SOP8 | Kaufen | |
| BR24A04F-WLB(H2) | I²C BUS 4 kbit (512x8 Bit), EEPROM | SOP8 | Kaufen | |
| BR24A08F-WLB(H2) | I²C BUS 8 kbit (1024x8 Bit), EEPROM | SOP8 | Kaufen | |
| BR24A16F-WLB(H2) | I²C BUS 16 kbit (2048x8 Bit), EEPROM | SOP8 | Kaufen | |
| BR24A32F-WLB(H2) | I²C BUS 32 kbit (4096x8 Bit), EEPROM | SOP8 | Kaufen | |
| BR24A64F-WLB(H2) | I²C BUS 64 kbit (8192x8 Bit), EEPROM | SOP8 | Kaufen |
The definition and how to use thermal resistance and thermal characterization parameter of packages for ROHM’s integrated circuit are described in this application note.
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