I²C BUS 8 kbit (1024x8 Bit), EEPROM - BR24T08FVM-W

ROHM's serielle Hochleistungs-EEPROMs haben einen großen Marktanteil und sind in verschiedenen Kapazitäten, Busschnittstellen (Microwire, I²C, SPI), Betriebsspannungen (1,7 V bis 5,5 V, 1,8 V bis 5,5 V, 2,5 V bis 5,5 V, 3,0 V bis 3,6 V) und Gehäusearten verfügbar und dadurch ideal für akkubetriebene Geräte. Die gesamte Serie ist sowohl bleifrei als auch RoHS-konform.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Minimale Gehäusemenge
BR24T08FVM-WTR Active MSOP8 3000 3000 Taping Ja
Grade Standard
I/F I2C BUS(2-Wire)
Density [bit] 8K
Bit Format [Word x Bit] 1K x 8
Package MSOP8
Operating Temperature (Min.)[°C] -40
Operating Temperature (Max.)[°C] 85
Vcc(Min.)[V] 1.6
Vcc(Max.)[V] 5.5
Circuit Current (Max.)[mA] 2.0
Standby Current (Max.)[μA] 2.0
Write Cycle (Max.)[ms] 5.0
Input Frequency (Max.)[Hz] 400K
Endurance (Max.)[Cycle] 106
Data Retention (Max.)[Year] 40
    • Completely conforming to the world standard I²C BUS.All controls available by 2 ports of serial clock (SCL) and serial data (SDA)
    • Other devices than EEPROM can be connected to the same port, saving microcontroller port
    • 1.6V to 5.5v Single Power Source Operation most suitable for battery use
    • 1.6V to 5.5V wide limit of operating voltage, possible FAST MODE 400kHz operation
    • Page Write Mode useful for initial value write at factory shipment
    • Self-timed Programming Cycle
    • Low current Consumption
    • Prevention of Write Mistake
    • Write (Write Protect) Function added
    • Prevention of Write Mistake at Low Voltage
    • More than 1 million write cycles
    • More than 40 years data retention
    • Noise filter built in SCL / SDA terminal
    • Initial delivery state FFh
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TEILENUMMER Produktname Gehäuse Datenblatt Lieferbare Bestände
BR24T08FJ-WSGN I²C BUS EEPROM (2-Wire) SOP-J8A   Anfrage
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Thermal Resistance

The definition and how to use thermal resistance and thermal characterization parameter of packages for ROHM’s integrated circuit are described in this application note.