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Microwire-BUS 4 kbit (256x16 Bit), EEPROM - BR93H66RF-2LB(H2)

Für das Produkt wird ein Langzeit-Support im industriellen Markt garantiert. BR93H66-2C ist ein serieller EEPROM der 3-reihigen seriellen Schnittstellenmethode.

Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
BR93H66RF-2LBH2 Active SOP8 250 250 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Industrial
I/F MicroWire BUS(3-Wire)
Density [bit] 4K
Bit Format [Word x Bit] 256 x 16
Package SOP8
Operating Temperature (Min.)[°C] -40
Operating Temperature (Max.)[°C] 125
Vcc(Min.)[V] 2.5
Vcc(Max.)[V] 5.5
Circuit Current (Max.)[mA] 3.0
Standby Current (Max.)[μA] 10.0
Write Cycle (Max.)[ms] 4.0
Input Frequency (Max.)[Hz] 2M
Endurance (Max.)[Cycle] 106
Data Retention (Max.)[Year] 100
Eigenschaften:
  • · Produkt mit Langzeit-Support für industrielle Anwendungen
    · Konform mit Microwire-Bus
    · Widersteht elektrostatischer Spannung bis 6 kV (HBM-Methode [typisch])
    · Großer Temperaturbereich von –40 ℃ bis +125 ℃
    · Gleiche Gehäuselinie und gleiche Pin-Konfiguration
    · Betrieb mit einem Netzteil bei 2,5 V bis 5,5 V Spannung
    · Auto-Inkrement-Adressierung im Lesebetrieb
    · Funktion zur Vermeidung von Schreibfehlern Schreibsperre bei Anschaltung Schreibsperre über Befehlscode Schaltung zur Vermeidung von Schreibfehlern bei niedriger Spannung
    · Auto-Erase- und Auto-End-Funktion für den Programmierzyklus
    · Anzeige des Programmzustands: READY/BUSY
    · Niedrige Stromaufnahme Im Schreibbetrieb (bei 5 V): 0,8 mA (typisch) Im Lesebetrieb (bei 5 V): 0,5 mA (typisch) Im Standbybetrieb (bei 5 V): 0,1 µA (typisch) (CMOS-Eingang)
    · Hohe Zuverlässigkeit dank Original-Doppelzellenstruktur von ROHM
    · 20 Jahre Datenspeicherung (Ta = 125 ℃)
    · Beständigkeit: bis zu 300.000 Zyklen (Ta = 125 ℃)
    · Auslieferungszustand: alle Adressen FFFh
 
 
Technische Daten
Application Note

Thermal Resistance