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Schaltdiode - DAN217WM

Das ultrakleine Gussgehäuse der Schaltdiode DAN217WM eignet sich für hochfrequente Schaltanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
DAN217WMTL Active EMD3F 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-416FL
Package(JEITA) SC-89
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.7)
Mounting Style Surface mount
Number of terminal 3
VRM[V] 80
Reverse Voltage VR[V] 80
Average Rectified Forward Current IO[A] 0.1
IFM[A] 0.3
Isurge[mA] 4000
Forward Voltage VF[V] 1.2
IF @ Forward Voltage [mA] 100.0
Reverse Current IR[µA] 0.1
VR @ Reverse Current [V] 70
trr[ns] 4
IF @ trr [mA] 5
VR @ trr [V] 6.0
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • ・Sehr kleines geformtes Gehäuse (EMD3)
    ・Höchst zuverlässig
 
 
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Technische Daten
Storage Conditions

For Diodes

Part Explanation

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