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1,2 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET - EM6K7

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
EM6K7T2CR Active EMT6 8000 8000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-563
JEITA Package SC-107C
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.5)
Number of terminal 6
Polarity Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.) 1.6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 1.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 1.6
Power Dissipation (PD)[W] 0.15
Drive Voltage[V] 1.2
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Niederspannungsmotor (1,2 V)
    · N-Kanal+N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
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TEILENUMMER Produktname Gehäuse Datenblatt Lieferbare Bestände
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Part Explanation

For Transistors