EM6M2
1,2 V Antriebs-Nch+Pch-MOSFET

Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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Produktdetails

 
Teilenummer | EM6M2T2R
Status | Aktiv
Gehäuse | EMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.8

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

1.6x1.6 (t=0.55)

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