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NPN+NPN-Digitaltransistor (mit integrierten Widerständen) - EMG9

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
EMG9T2R Active EMT5 8000 8000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-553
JEITA Package SC-107BB
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.5)
Number of terminal 5
Polarity NPN+NPN
Supply voltage VCC 1[V] 50.0
Collector current IC 1[A] 0.1
Input resistance R1 1 [kΩ] 10.0
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ] 10.0
Supply voltage VCC 2[V] 50.0
Collector current IC 2[A] 0.1
Input resistance R1 2 [kΩ] 10.0
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ] 47.0
Power Dissipation (PD)[W] 0.15
Mounting Style Surface mount
Equivalent (Single Part) DTC114E / DTC114E
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Ultrakompakter komplexer Digitaltransistor
    · Integrierte Vorspannungswiderstände
    · Mit Spannungsteiler
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors