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NPN+NPN-Transistor niedriges VCE(sat) - EMX18

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
EMX18T2R Active EMT6 8000 8000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-563
JEITA Package SC-107C
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.5)
Number of terminal 6
Polarity NPN+NPN
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] 12.0
Collector current(continuous) IC1[A] 0.5
Collector-Emitter voltage VCEO2[V] 12.0
Collector current(continuous) IC2[A] 0.5
hFE 270 to 680
hFE (Min.) 270
hFE (Max.) 680
Mounting Style Surface mount
Equivalent (Single Part) 2SC5585 / 2SC5585
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
    · Für Vorverstärker
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
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TEILENUMMER Produktname Gehäuse Datenblatt Lieferbare Bestände
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Part Explanation

For Transistors