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PNP+NPN-Universal-Verstärkungstransistor (entspricht AEC-Q101) - EMZ1FHA

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
EMZ1FHAT2R Active EMT6 8000 8000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Automotive
Common Standard AEC-Q101
Package Code SOT-563
JEITA Package SC-107C
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.5)
Number of terminal 6
Polarity NPN+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] 50.0
Collector current(continuous) IC1[A] 0.15
Collector-Emitter voltage VCEO2[V] -50.0
Collector current(continuous) IC2[A] -0.15
hFE 120 to
Mounting Style Surface mount
Equivalent (Single Part) 2SA1037AK / 2SC2412K
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
    · Für Vorverstärker
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors