4 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET - ES6U3

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.

Teilenummer	Status	Gehäuse	Einheitenmenge	Minimale Gehäusemenge	Gehäusetyp	RoHS
ES6U3T2CR	Active	WEMT6	8000	8000	Taping	Ja

Spezifikationen:

Grade	Standard
Package Code	SOT-563T
JEITA Package	SC-120
Package Size[mm]	1.6x1.6(t=0.6)
Number of terminal	6
Polarity	Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]	30
Drain Current ID[A]	1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)	0.27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)	0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)	0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)	0.27
Total gate charge Qg[nC]	1.4
Power Dissipation (PD)[W]	0.7
Drive Voltage[V]	4.0
Reverse voltage VR (Diode) [V]	20.0
Forward Current IF (Diode) [A]	0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]	2.0
Mounting Style	Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]	-55
Storage Temperature (Max.)[°C]	150

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Eigenschaften:

· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform

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