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30 V Nch+Pch Mittelleistungs-MOSFET - HP8MA2 (New)

HP8MA2 ist ein MOSFET mit hoher Zuverlässigkeit und kleinem Gehäuse zur Oberflächenmontage für Schaltanwendungen.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
HP8MA2TB1 Active HSOP8(Dual) 2500 2500 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code HSOP8D(5x6)
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 18.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0117
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0117
Total gate charge Qg[nC] 10.5
Power Dissipation (PD)[W] 7.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on - resistance.
    • Small Surface Mount Package (HSOP8).
    • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
    • Halogen Free.
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
ROHM Semiconductor behält sich das Recht vor, die Spezifikationen jederzeit zu ändern.
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors