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PNP+PNP-Transistor niedriges VCE(sat) - IMT18Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.
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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen. |
Spezifikationen:
Grade | Standard |
Package Code | SOT-457 |
JEITA Package | SC-74 |
Package Size[mm] | 2.9x2.8(t=1.1) |
Number of terminal | 6 |
Polarity | PNP+PNP |
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] | -12.0 |
Collector current(continuous) IC1[A] | -0.5 |
Collector-Emitter voltage VCEO2[V] | -12.0 |
Collector current(continuous) IC2[A] | -0.5 |
hFE | 270 to 680 |
hFE (Min.) | 270 |
hFE (Max.) | 680 |
Mounting Style | Surface mount |
Equivalent (Single Part) | 2SA2018 / 2SA2018 |
Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 |
Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
Eigenschaften:
- · Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
Anwendungen:
Pin-Konfigurierung:
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Technische Daten
NE Handbook Series
For Power Device
Operation Notes
About TR Die Temperature
Operation Notes
Before using ROHM Transistor
Part Explanation
For Transistors