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PNP+PNP-Transistor niedriges VCE(sat) - IMT18Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.
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| * Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen. | ||||
Spezifikationen:
| Grade | Standard |
| Package Code | SOT-457 |
| JEITA Package | SC-74 |
| Package Size[mm] | 2.9x2.8(t=1.1) |
| Number of terminal | 6 |
| Polarity | PNP+PNP |
| Collector-Emitter voltage VCEO1[V] | -12.0 |
| Collector current(continuous) IC1[A] | -0.5 |
| Collector-Emitter voltage VCEO2[V] | -12.0 |
| Collector current(continuous) IC2[A] | -0.5 |
| hFE | 270 to 680 |
| hFE (Min.) | 270 |
| hFE (Max.) | 680 |
| Mounting Style | Surface mount |
| Equivalent (Single Part) | 2SA2018 / 2SA2018 |
| Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 |
| Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
Eigenschaften:
- · Ultrakompakter komplexer Bipolartransistor
· Für Vorverstärker
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
Anwendungen:
Pin-Konfigurierung:
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| TEILENUMMER | Produktserie | Datenblatt | Lieferbare Bestände |
|---|---|---|---|
| RD3G500GN | Standard-MOSFETs | Anfrage | |
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