PNP+PNP-Transistor niedriges VCE(sat) - IMT18

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.

Teilenummer	Status	Gehäuse	Einheitenmenge	Minimale Gehäusemenge	Gehäusetyp	RoHS
IMT18T110	Active	SMT6	3000	3000	Taping	Ja

Spezifikationen:

Grade	Standard
Package Code	SOT-457
JEITA Package	SC-74
Package Size[mm]	2.9x2.8(t=1.1)
Number of terminal	6
Polarity	PNP+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]	-12.0
Collector current(continuous) IC1[A]	-0.5
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]	-12.0
Collector current(continuous) IC2[A]	-0.5
hFE	270 to 680
hFE (Min.)	270
hFE (Max.)	680
Mounting Style	Surface mount
Equivalent (Single Part)	2SA2018 / 2SA2018
Storage Temperature (Min.)[°C]	-55
Storage Temperature (Max.)[°C]	150