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30 V Nch+Nch Leistungs-MOSFET - QH8KA1

Der Leistungs-MOSFET QH8KA1 ist geeignet für Schaltnetzteil und Motorantrieb.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
QH8KA1TCR Active TSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 4.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.086
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.056
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.086
Total gate charge Qg[nC] 1.5
Power Dissipation (PD)[W] 2.4
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Kleiner Durchlasswiderstand
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
    · Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
    · Halogenfrei
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors