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30 V Nch+Nch-Mittelleistungs-MOSFET - QH8KA4

Der mittlere Leistungs MOSFET QH8KA4 ist geeignet zum Schalten und Batterieanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
QH8KA4TCR Active TSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 9.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.017
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.013
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0125
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.017
Total gate charge Qg[nC] 12.0
Power Dissipation (PD)[W] 1.5
Drive Voltage[V] 2.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on-resistance.
    • Small Surface Mount Package.
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
    • Halogen Free
    • 100% avalanche tested.
 
 
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors