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2,5 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET - QS5U17

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
QS5U17TR Active TSMT5 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-25T
Package Size[mm] 2.9x2.8(t=1.0Max.)
Number of terminal 5
Polarity Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 2.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.11
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.076
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.071
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.11
Total gate charge Qg[nC] 2.8
Power Dissipation (PD)[W] 0.9
Drive Voltage[V] 2.5
Reverse voltage VR (Diode) [V] 20.0
Forward Current IF (Diode) [A] 1.0
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] 3.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors