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NPN+NPN-Treibertransistor - QS5W1

Geräte mit zwei integrierten Transistoren sind in extrem kompakten Gehäusen verfügbar. Sie sind für verschiedene Anwendungen geeignet wie beispielsweise für differentielle Vorverstärker-Verstärkungsschaltungen, Hochfrequenz-Oszillatoren, Treiber-ICs usw.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
QS5W1TR Active TSMT5 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code SOT-25T
Package Size[mm] 2.9x2.8(t=1.0Max.)
Number of terminal 5
Polarity NPN+NPN
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] 30.0
Collector current(continuous) IC1[A] 3.0
hFE 200 to 500
hFE (Min.) 200
hFE (Max.) 500
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · Kompakter komplexer Leistungsbipolartransistor
    · Für DC/DC-Wandler
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors