4 V Antriebs-Pch+Pch-MOSFET - QS8J5

Komplexe MOSFETs (P+P) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

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* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.

Teilenummer	Status	Gehäuse	Einheitenmenge	Minimale Gehäusemenge	Gehäusetyp	RoHS
QS8J5TR	Active	TSMT8	3000	3000	Taping	Ja

Spezifikationen:

Grade	Standard
Package Code	TSMT8
Package Size[mm]	3.0x2.8(t=0.8)
Applications	Power Supply
Number of terminal	8
Polarity	Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]	-30
Drain Current ID[A]	-5.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)	0.045
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)	0.04
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)	0.028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)	0.045
Total gate charge Qg[nC]	10.0
Power Dissipation (PD)[W]	1.5
Drive Voltage[V]	-4.0
Mounting Style	Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]	-55
Storage Temperature (Max.)[°C]	150

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Eigenschaften:

· 4-Ｖ-Motor
· P-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform

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Anwendungen:

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Pin-Konfigurierung:

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