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Nicht für neue Designs empfohlen

2,5 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET - QS8K2

 
Empfohlene Produkte
Teilenummer Datenblatt Gehäuse Pin kompatibel
QH8KA4 TSMT8
UT6K3 HUML2020L8(Dual) -
 
 
Spezifikationen:
Teilenummer QS8K2TR
Status NRND
Gehäuse TSMT8
Einheitenmenge 3000
Minimale Gehäusemenge 3000
Gehäusetyp Taping
Liste der enthaltenen Materialien Anfrage
RoHS Ja
Grade Standard
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 3.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.055
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.04
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.055
Total gate charge Qg[nC] 4.6
Power Dissipation (PD)[W] 1.5
Drive Voltage[V] 2.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Pin-Konfigurierung:
Pin Configration
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Part Explanation

For Transistors