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4 V Antriebs-Nch+Pch-MOSFET - QS8M51

Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
QS8M51TR Active TSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 100
Drain Current ID[A] 2.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.26
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.24
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.26
Total gate charge Qg[nC] 4.7
Power Dissipation (PD)[W] 1.5
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 4-V-Motor
    · N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
    · Schnelle Schaltgeschwindigkeit
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors