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100 V Pch + Pch Mittelleistungs-MOSFET - QS8M51FRA

QS8M51FRA ist ein sehr zuverlässiger Automobil-MOSFET, geeignet für Schaltanwendungen.

FAQ 
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Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
QS8M51FRATR Active TSMT8 3000 3000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Automotive
Common Standard AEC-Q101
Package Code TSMT8
Package Size[mm] 3.0x2.8(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 100
Drain Current ID[A] 2.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.26
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.) 0.24
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.26
Total gate charge Qg[nC] 4.7
Power Dissipation (PD)[W] 1.5
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 4-V-Motor
    · N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
    · Schnelle Schaltgeschwindigkeit
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
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Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Part Explanation

For Transistors