R6006KND3
600V 6A TO-252, Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter
R6006KND3
R6006KND3
600V 6A TO-252, Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschalter
Der R6006KND3 ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
6
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.72
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.72
Total gate charge Qg[nC]
12
Power Dissipation (PD)[W]
70
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ.)[ns]
290
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K8015
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
6.6x10.0 (t=2.4)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Ultra fast switching speed
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
