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10 V Antriebs-Nch-MOSFET - R6008FNX

MOSFET, einer der Feld-Effekt-Transistoren. ROHM verfügt über Leistungs-MOSFETS mit geringem Strom und hoher Leistungsfähigkeit / hohem Durchbruchswiderstand für Schaltnetzteile, um unterschiedliche Anforderungen des Marktes zu bedienen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6008FNX Active TO-220FM 500 500 Bulk Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-220FM
Package Size[mm] 15.1x10.1 (t=4.6)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 8.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.73
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.73
Total gate charge Qg[nC] 20.0
Power Dissipation (PD)[W] 50.0
Drive Voltage[V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 67
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
  • · 4-V-Motor
    · N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    · Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
    · Bleifrei/RoHS-konform
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors