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Nch-Leistungs-MOSFET 600 V 11 A - R6011KNJ

R6011KNJ hat einen niedrigen Einschaltwiderstand und MOSFET mit hoher Umschaltgeschwindigkeit und Leistung.

Bitte wenden Sie sich zum Kauf an uns, da keine lieferbaren Bestände vorliegen.--- Anfrage
* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer
Status
Gehäuse
Einheitenmenge
Minimale Gehäusemenge
Gehäusetyp
RoHS
R6011KNJTL Active LPTS(D2PAK) 1000 1000 Taping Ja
 
Spezifikationen:
Grade Standard
Package Code TO-263(D2PAK)
JEITA Package SC-83
Package Size[mm] 10.1x13.1(t=4.5)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 11.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.34
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.34
Total gate charge Qg[nC] 22.0
Power Dissipation (PD)[W] 124.0
Drive Voltage[V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 355
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
Eigenschaften:
    • Low on-resistance.
    • Ultra fast switching speed.
    • Parallel use is easy.
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
 
 
 
 
Technische Daten
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors